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Determinazione dell'Energy Gap
in semiconduttori

La teoria delle bande di energia elettroniche e' di particolare importanza nella comprensione delle proprieta' della materia condensata e, in particolare, la misura dell'energy gap puo' essere considerata come un passo essenziale nell'apprendimento della fisica dello stato solido.
In questo esperimento, ci si propone di ricavare una stima dell'energy gap di materiali semiconduttori (Ge e Si) a temperatura ambiente, producendo coppie elettrone-vacanza attraverso l'effetto fotoelettrico interno.
L'esperimento consiste nel far incidere su un campione semiconduttore un fascio di luce monocromatica e nel misurare, in funzione della lunghezza d'onda λ della luce incidente, sia la variazione di resistenza del campione (fotoconducibilita') sia lâintensita' della luce da esso trasmessa.

Esperienze eseguibili:

Determinazione dell'Energy Gap di un semiconduttore:

Mediante misura della fotoconducibilita'

Mediante misura di trasmissione di luce

La lampada ha uno spettro di emissione che va dal visibile al vicino infrarosso. La prima lente e' posizionata sul cammino della luce in modo da rendere parallelo il fascio di luce che incide sul reticolo di diffrazione a riflessione. Il fascio emergente viene focalizzato sul campione da una seconda lente.
Facendo ruotare il reticolo con un motoriduttore, al variare dell'angolo R varia la lunghezza d'onda della luce che incide sul campione. La variazione dell'angolo e' rilevata da un sensore angolare che misura la rotazione relativa alla posizione iniziale.
Per eliminare gli spettri di ordine superiore al primo si utilizza un filtro ottico passa-alto.
Il campione ha spessore di qualche decimo di millimetro per permettere la trasmissione di un fascio sufficientemente intenso e la sua resistenza dipende dalla densita' di portatori di carica elettrica: la tensione ai suoi capi viene modulata quindi dalla luce incidente per λ<λs (sensore fotoconduttivo).
Il sensore piroelettrico e' posto dietro al campione, e misura la quantita' di luce trasmessa.
Entrambi i segnali, di luce trasmessa e di fotoconduttivita', vengono preamplificati e resi immuni da rumore e luce ambiente mediante un lock-in a due canali, pilotato dal segnale di riferimento prelevato da un chopper.
Una interfaccia (Data-Loggeri) collegata a PC tramite porta USB, permette l'acquisizione diretta dei segnali prodotti dai 3 sensori.

Materiale in dotazione:

Doppia rotaia di allineamento

Lampada ad incandescenza con chopper

Lenti focalizzanti

Reticolo di diffrazione su goniometro

Sensore angolare

Filtri ottici

Campioni sottili di Ge ed Si

Sensore piroelettrico

Circuito di misura con doppio lock-in

interfaccia a 3 canalii

E' semplice convertire i valori di lunghezze d'onda in valori di energie: E=hc/λ dove h e' la costante di Plank e c e' la velocita' della luce.
Il grafico riportato qui accanto mostra il segnale fotoconduttivo (in blu) ed il segnale proporzionale all'intensita' della luce trasmessa (in rosso): i valori dell'energy gap si ottengono individuando con due rette orizzontali il fondo dei segnali nella zona ad energie minori (λ maggiori) ed interpolando con due rette i fronti di salita e discesa; le intersezioni delle rette inclinate con quelle orizzontali forniscono i due valori di soglia, cioe' l'energia minima a cui inizia l'effetto fotoelettrico.

Materiale didattico allegato:

Guida all'esperienza per lo studente
Manuale per il docente

Sconza A., Torzo G. :Spectroscopic measurement of the semiconductor energy gap , Am. J. Phys 62, 732-737(1994)

Determinazione dell'Energy Gap in semiconduttori
La teoria delle bande di energia elettroniche e' di particolare importanza nella comprensione delle proprieta' della materia condensata e, in particolare, la misura dell'energy gap puo' essere considerata come un passo essenziale nell'apprendimento della fisica dello stato solido. In questo esperimento, ci si propone di ricavare una stima dell'energy gap di materiali semiconduttori (Ge e Si) a temperatura ambiente, producendo coppie elettrone-vacanza attraverso l'effetto fotoelettrico interno. L'esperimento consiste nel far incidere su un campione semiconduttore un fascio di luce monocromatica e nel misurare, in funzione della lunghezza d'onda λ della luce incidente, sia la variazione di resistenza del campione (fotoconducibilita') sia lâintensita' della luce da esso trasmessa.		Esperienze eseguibili: Determinazione dell'Energy Gap di un semiconduttore: Mediante misura della fotoconducibilita' Mediante misura di trasmissione di luce
La lampada ha uno spettro di emissione che va dal visibile al vicino infrarosso. La prima lente e' posizionata sul cammino della luce in modo da rendere parallelo il fascio di luce che incide sul reticolo di diffrazione a riflessione. Il fascio emergente viene focalizzato sul campione da una seconda lente. Facendo ruotare il reticolo con un motoriduttore, al variare dell'angolo R varia la lunghezza d'onda della luce che incide sul campione. La variazione dell'angolo e' rilevata da un sensore angolare che misura la rotazione relativa alla posizione iniziale. Per eliminare gli spettri di ordine superiore al primo si utilizza un filtro ottico passa-alto. Il campione ha spessore di qualche decimo di millimetro per permettere la trasmissione di un fascio sufficientemente intenso e la sua resistenza dipende dalla densita' di portatori di carica elettrica: la tensione ai suoi capi viene modulata quindi dalla luce incidente per λ<λs (sensore fotoconduttivo). Il sensore piroelettrico e' posto dietro al campione, e misura la quantita' di luce trasmessa. Entrambi i segnali, di luce trasmessa e di fotoconduttivita', vengono preamplificati e resi immuni da rumore e luce ambiente mediante un lock-in a due canali, pilotato dal segnale di riferimento prelevato da un chopper. Una interfaccia (Data-Loggeri) collegata a PC tramite porta USB, permette l'acquisizione diretta dei segnali prodotti dai 3 sensori.		Materiale in dotazione: Doppia rotaia di allineamento Lampada ad incandescenza con chopper Lenti focalizzanti Reticolo di diffrazione su goniometro Sensore angolare Filtri ottici Campioni sottili di Ge ed Si Sensore piroelettrico Circuito di misura con doppio lock-in interfaccia a 3 canalii
E' semplice convertire i valori di lunghezze d'onda in valori di energie: E=hc/λ dove h e' la costante di Plank e c e' la velocita' della luce. Il grafico riportato qui accanto mostra il segnale fotoconduttivo (in blu) ed il segnale proporzionale all'intensita' della luce trasmessa (in rosso): i valori dell'energy gap si ottengono individuando con due rette orizzontali il fondo dei segnali nella zona ad energie minori (λ maggiori) ed interpolando con due rette i fronti di salita e discesa; le intersezioni delle rette inclinate con quelle orizzontali forniscono i due valori di soglia, cioe' l'energia minima a cui inizia l'effetto fotoelettrico.		Materiale didattico allegato: Guida all'esperienza per lo studente Manuale per il docente Sconza A., Torzo G. :Spectroscopic measurement of the semiconductor energy gap , Am. J. Phys 62, 732-737(1994)